天科合达综述

北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”或“公司”）的招股说明书信息进行总结和分析，重点涵盖其发展历程、主要人员、产品技术和研发情况。

一、公司概况与发展历程

天科合达是一家国内领先的宽禁带半导体（第三代半导体）材料——碳化硅晶片生产商。公司的产品和业务属于国家重点鼓励和扶持的战略性新兴产业领域，包括“新一代信息技术”和“新材料产业”。

1. 发展历程 (Development History)

公司设立（2006年）： 公司前身北京天科合达蓝光半导体有限公司（天科合达有限）于 2006年9月12日 成立。初始注册资本为人民币1,600万元，股东包括上海汇合达、**中国科学院物理研究所（中科院物理所）**和新加坡吉星蓝光。中科院物理所以“碳化硅单晶生长和晶片加工技术”发明系列技术出资。
股份制改制（2015年）： 2015年11月20日，天科合达有限整体变更为股份有限公司。
新三板挂牌（2017-2019年）： 公司股票于2017年4月10日至2019年8月12日在全国股转系统（新三板）挂牌并公开转让。
重大股权融资（2019年）： 2019年，公司进行了重大增资，引入了战略投资者，包括国家集成电路产业投资基金股份有限公司（简称“集成电路基金”，持有5.08%股份）和哈勃科技投资有限公司（简称“哈勃投资”，持有4.82%股份）。本次增资价格为6元/股。
控股股东和实际控制人： 截至招股书签署日，控股股东为新疆天富集团有限责任公司（持股24.15%），实际控制人为新疆生产建设兵团第八师国有资产监督管理委员会。

二、主要人员情况 (Key Personnel)

1. 董事、监事及高级管理人员

公司核心管理团队具有深厚的产业和技术背景。

董事长：刘伟 先生，正高级工程师，自2015年10月至今任公司董事长，同时担任控股股东天富集团的党委书记、董事长。
董事、总经理：杨建 先生，硕士研究生，自2015年10月至今任公司董事、总经理。
董事、副总经理、技术总监：刘春俊 先生，研究员，博士研究生，长期从事碳化硅单晶材料的研究及产业化工作，并获得了多项荣誉，是公司的核心技术人员之一。

2. 核心技术人员

截至报告期末（2020年3月31日），公司共有 5名核心技术人员：

彭同华（副总经理）：长期从事碳化硅晶体生长、加工、物性研究和产业化方面工作。
刘春俊（董事、副总经理、技术总监）：专注于碳化硅单晶材料研究及产业化。
王波（生产总监）：长期从事碳化硅晶体的单晶生长、晶体加工技术研究和产业化工作。
郭钰（技术副总监、研发中心副主任）：长期从事碳化硅衬底表面制备和缺陷的技术研究和产业化工作。
娄艳芳（技术副总监、研发中心副主任）：长期从事碳化硅单晶的生长、宏观及微观缺陷的研究工作。

这些核心人员及主要研发人员均持有公司股份，建立了合理的激励措施，以保障团队的稳定性和积极性。

三、产品技术与核心竞争力

1. 主要产品及业务构成

公司主要从事碳化硅晶片、其他碳化硅产品（如籽晶、晶体）和碳化硅单晶生长炉的研发、生产和销售。

碳化硅晶片： 是公司的核心产品。公司在晶片环节可以提供 2英寸至6英寸 的导电型和半绝缘型碳化硅晶片。
产品应用： 碳化硅材料是第三代半导体材料，可用于制造功率器件（应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通等）和微波射频器件（应用于5G通讯、无线电探测等）。
销售构成（2019年度）： 碳化硅晶片占主营业务收入的 48.12%；其他碳化硅产品占 36.65%；碳化硅单晶生长炉占 15.23%。

2. 核心技术体系

公司已经建立了拥有自主知识产权的六大核心技术体系，掌握了覆盖碳化硅晶片生产全流程的关键技术和工艺，包括“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”。

技术路径： 碳化硅晶体生长主要采用物理气相传输法（PVT法），这是技术成熟度最高、应用最广泛的方法，与国际主流技术路线一致。
技术先进性： 公司的半绝缘型碳化硅晶片产品和导电型碳化硅晶片产品已达到国际同类产品的先进水平，打破了国外对半绝缘晶片的严格禁运，建立了国内第一条碳化硅晶片中试生产线，推进了国产化进程，实现了进口替代。
市场地位： 根据Yole Development统计，2018年公司导电型晶片的全球市场占有率为 1.7%，排名全球第六、国内第一。
知识产权： 截至报告期末（2020年3月31日），公司拥有 27项国内发明专利（合计28项国内专利）和 6项国际专利。

3. 竞争劣势

尽管技术先进，但公司仍存在竞争劣势：产能方面，与国际龙头企业（如CREE、II-VI）相比，公司的产能劣势仍较为明显，产能瓶颈限制了其满足下游持续增长的需求。此外，公司面临融资渠道有限的挑战，长期以来主要依赖实际控制人资金支持、银行贷款和政府补助。

四、研发情况 (R&D Status)

1. 研发投入与人员

研发投入强度： 碳化硅材料行业属于技术密集型行业，公司持续高投入。报告期内（2017-2019年），公司研发投入占营业收入的比例保持在较高水平（2017年：61.84%；2019年：18.81%；2020年1-3月：17.63%）。
研发投入构成： 研发投入主要由材料费（2019年占比46.06%）和职工薪酬（2019年占比27.45%）构成。
研发人员： 截至2020年3月31日，公司技术研发人员共 75人，占员工总数的13.69%。

2. 重大研发项目与成果

公司通过自主研发、与科研单位合作（如中科院物理所、山东大学等）、以及承接国家科研项目，持续推进技术创新。

正在进行的重大项目：
- 8英寸导电型碳化硅衬底制备技术研发：目标是获得关键技术，目前处于研发阶段。
- 6英寸半绝缘型/导电型碳化硅衬底制备技术研发与提升：目标是改进和提升批量制备关键技术，满足下游器件性能要求，处于研发和客户验证阶段。
历史项目与奖项： 承担并完成了多项国家级和省部级重大科研项目，例如国家科技支撑计划项目《宽带隙半导体材料碳化硅晶体产业化开发》、国家“02专项”项目《线圈内置式大尺寸SiC单晶炉研发》等。公司曾获得新疆生产建设兵团科学技术进步奖一等奖。
行业标准： 公司是行业标准制定的重要参与者，牵头起草了国内唯一一项规范碳化硅晶片产品质量要求的国家标准《碳化硅单晶抛光片》（GB/T 30656-2014）。

五、未来发展战略与募投项目

1. 战略规划

公司的战略目标是专注于第三代半导体碳化硅材料的技术研究、开发与生产。未来规划采取的措施主要包括：持续加大技术和工艺的研究；通过募投项目扩大产能；积极开拓海内外市场；以及加强人才培养和储备。

2. 募集资金运用

本次IPO募集资金拟投资项目为**“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目”**。

投资规模： 项目总投资为95,706.00万元，其中拟投入募集资金50,000.00万元。
建设目标： 新增建设年产 12万片6英寸碳化硅晶片的生产基地。
必要性： 项目旨在缓解下游市场对碳化硅材料依赖国外进口的局面，满足不断扩大的下游需求，并巩固公司在国内市场的地位。